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    半導體和半金屬

    英文名稱:Semiconductors And Semimetals   國際簡稱:SEMICONDUCT SEMIMET
    《Semiconductors And Semimetals》雜志由Academic Press Inc.出版社出版,本刊創刊于1966年,發行周期Semiannual,每期雜志都匯聚了全球物理與天體物理領域的最新研究成果,包括原創論文、綜述文章、研究快報等多種形式,內容涵蓋了物理與天體物理的各個方面,為讀者提供了全面而深入的學術視野,為物理與天體物理-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事業的進步提供了有力的支撐。
    中科院分區
    物理與天體物理
    大類學科
    0080-8784
    ISSN
    預計審稿速度: 12周,或約稿
    雜志簡介 期刊指數 WOS分區 中科院分區 CiteScore 學術指標 高引用文章

    半導體和半金屬雜志簡介

    出版商:Academic Press Inc.
    出版語言:English
    TOP期刊:
    出版地區:UNITED STATES
    是否預警:

    是否OA:未開放

    出版周期:Semiannual
    出版年份:1966
    中文名稱:半導體和半金屬

    半導體和半金屬(國際簡稱SEMICONDUCT SEMIMET,英文名稱Semiconductors And Semimetals)是一本未開放獲取(OA)國際期刊,自1966年創刊以來,始終站在物理與天體物理研究的前沿。該期刊致力于發表在物理與天體物理領域各個方面達到最高科學標準和具有重要性的研究成果。全面反映該學科的發展趨勢,為物理與天體物理事業的進步提供了有力的支撐。期刊嚴格遵循職業道德標準,對于任何形式的抄襲行為,無論是文字還是圖形,一旦查實,均可能導致稿件被拒絕。

    近年來,來自USA、Japan、GERMANY (FED REP GER)、Australia、CHINA MAINLAND、France、England、Sweden、Belgium、Russia等國家和地區的研究者在《Semiconductors And Semimetals》上發表了大量的高質量文章。該期刊內容豐富,包括原創研究、綜述文章、專題觀點、論文預覽、專家意見等多種類型,旨在為全球該領域研究者提供廣泛的學術交流平臺和靈感來源。

    在過去幾年中,該期刊保持了穩定的發文量和綜述量,具體數據如下:

    2014年:發表文章3篇、2015年:發表文章19篇、2016年:發表文章7篇、2017年:發表文章12篇、2018年:發表文章15篇、2019年:發表文章29篇、2020年:發表文章20篇、2021年:發表文章34篇、2022年:發表文章0篇、2023年:發表文章0篇。這些數據反映了期刊在全球物理與天體物理領域的影響力和活躍度,同時也展示了其作為學術界和工業界研究人員首選資源的地位。《Semiconductors And Semimetals》將繼續致力于推動物理與天體物理領域的知識傳播和科學進步,為全球物理與天體物理問題的解決貢獻力量。

    期刊指數

    • Gold OA文章占比:0.00%
    • CiteScore:1.6
    • 年發文量:0
    • H-index:28
    • 出版國人文章占比:0.05

    WOS期刊SCI分區(2023-2024年最新版)

    按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位

    中科院分區表

    中科院SCI期刊分區 2022年12月升級版
    Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
    物理與天體物理 4區
    ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理
    4區 4區

    CiteScore(2024年最新版)

    CiteScore 排名
    CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
    1.6 0 0
    學科類別 分區 排名 百分位
    大類:Materials Science 小類:Metals and Alloys Q3 95 / 176

    46%

    大類:Materials Science 小類:Electrical and Electronic Engineering Q3 552 / 797

    30%

    大類:Materials Science 小類:Materials Chemistry Q3 225 / 317

    29%

    大類:Materials Science 小類:Condensed Matter Physics Q3 322 / 434

    25%

    大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 214 / 284

    24%

    學術指標分析

    影響因子和CiteScore
    自引率

    影響因子:指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。影響因子越高,代表著期刊的影響力越大 。

    CiteScore:該值越高,代表該期刊的論文受到更多其他學者的引用,因此該期刊的影響力也越高。

    自引率:是衡量期刊質量和影響力的重要指標之一。通過計算期刊被自身引用的次數與總被引次數的比例,可以反映期刊對于自身研究內容的重視程度以及內部引用的情況。

    年發文量:是衡量期刊活躍度和研究產出能力的重要指標,年發文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學術聲譽,從而吸引更多的優質稿件。

    期刊互引關系
    序號 引用他刊情況 引用次數
    1 APPL PHYS LETT 295
    2 IEEE ELECTR DEVICE L 168
    3 OPT EXPRESS 136
    4 J APPL PHYS 123
    5 J CRYST GROWTH 91
    6 IEEE T ELECTRON DEV 63
    7 ELECTRON LETT 43
    8 NAT PHOTONICS 42
    9 OPT LETT 42
    10 APPL PHYS EXPRESS 34
    序號 被他刊引用情況 引用次數
    1 J APPL PHYS 33
    2 PHYS REV B 21
    3 APPL PHYS LETT 14
    4 NANOTECHNOLOGY 11
    5 J ELECTRON MATER 10
    6 JPN J APPL PHYS 10
    7 PHYS STATUS SOLIDI A 10
    8 PHYSICA B 9
    9 CHEM REV 8
    10 MATER RES EXPRESS 8

    高引用文章

    • Guided mode resonances and photonic crystals for biosensing and imaging引用次數:3
    • Quantum dot lasers for silicon photonics引用次數:3
    • Inorganic Nanofibers by Electrospinning Techniques and Their Application in Energy Conversion and Storage Systems引用次數:3
    • Semiconductor Nanowires for Thermoelectric Generation引用次數:3
    • Heterogeneous Integration of III-V Lasers on Si by Bonding引用次數:3
    • Photonic Crystal Lasers and Nanolasers on Silicon引用次數:2
    • Top-Down Etching of Si Nanowires引用次數:2
    • Piezoelectric Semiconducting Nanowires引用次數:2
    • Nano-ridge laser monolithically grown on (001) Si引用次數:2
    • Quantum dot microcavity lasers on silicon substrates引用次數:2
    若用戶需要出版服務,請聯系出版商:ELSEVIER ACADEMIC PRESS INC, 525 B STREET, SUITE 1900, SAN DIEGO, USA, CA, 92101-4495。

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